· g 线：指波长为 436nm 的光，属于紫外光，对应的是**代光刻机。g 线光刻机采用接触接近式曝光方式，适用于制造特征尺寸较大的芯片，如早期集成电路制造或对线宽要求不*的器件，对应技术节点≥0.5µm。
· i 线：波长为 365nm 的紫外光，是第二代光刻机采用的光源。同样采用接触接近式曝光，用于 350 - 500nm 尺寸的半导体工艺，对应技术节点为 0.35 - 0.25µm。
· KrF：指的是波长为 248nm 的 KrF 准分子激光，是第三代投影式光刻机的光源。这种光刻机以扫描方式实现曝光，将集成电路制造工艺推进到亚微米级别，对应技术节点为 0.25 - 0.13µm。
· ArF：波长为 193nm 的 ArF 准分子激光，属于第四代光刻机光源。与 KrF 光刻机原理相同，但光源波长更短，光刻分辨率更*，适用于从 0.13µm 到几十纳米乃至数纳米级别的芯片制造。
· ArFi：即浸润式 ArF 光刻机，是在 ArF 光刻技术基础上发展而来的。它采用水作为介质，利用光在水中的折射特性，使等效波长缩短，提*光刻分辨率。虽然采用 193nm 波长光源，但经水折射后等效于 134nm 波长的光源，可实现更*的分辨率，能用于更**的制程节点。
· EUV：指波长为 13.5nm 的极紫外光，是第六代光刻机采用的光源。EUV 光刻机采用反射式光学系统，需要在*真空环境下工作，用于 7nm 及以下的**制程节点，是*性能处理器与**存储芯片制造的关键工艺之一。
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