kSA 400 RHEED图形分析系统，适合各种薄膜沉积系统（如：脉冲激光沉积设备PLD,溅射系统Sputtering,分子束外延MBE, 金属有机化学气相沉积MOCVD等）上的RHEED系统。目前第四代系统结合优质的硬件和软件，为客户提供丰富的RHEED分析信息。

原理

软件分析RHEED反射式*能电子衍射，对来自样品薄膜的衍射图像进行采集，并通过系统自动计算测量晶格间距、共振长度和振动强度，同时通过衍射条纹的强度震荡曲线检测薄膜沉积速率。

分析功能

同时测量晶格间距、相干长度和晶体表面结构演化；薄膜沉积速率和沉积厚度分析；三维衍射图像分析等。

基本配置

     • CCD系统：标准型，*分辨型
     • 光学系统：RHEED定量分析及成像分析
     • 标准接口法兰（可定制）

主要特点和功能

     • 衍射图像采集CCD和光学系统

     • 实时的薄膜生长速率测量

     • 实时晶格间距和表面均匀性分析

     • 贴心的技术支持

     • 多个品牌的电子枪全面控制功能可供选择

     • 适用于多种薄膜沉积系统：MBE、 PLD、溅射和电子束蒸发等

     • 持续不断的软件系统更新

可选功能

     • 包含锁相外延生长（PLE）

     • 低能电子衍射（LEED）

     • 俄歇电子能谱（Auger）

     • 光电子能谱（XPS）等

实际应用

主要用于安装在真空薄膜沉积设备上，在薄膜生长过程中，对该薄膜材料的多项物理特性进行实时原位的分析，进而进一步指导和优化薄膜的生长工艺。