kSA BandiT 半导体实时温度测量系统是一种非接触、实时测量半导体衬底表面温度的测试系统，采用半导体材料吸收边随温度的变化的原理，实时测量晶片/衬底的温度；并且kSA BandiT 已经成功地安装到众多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半导体沉积设备上，实现了晶片的温度实时监测。

该系统在外延薄膜生长过程中，对Wafer（及薄膜）表面温度实时、非接触、非入侵的直接检测；采用温度和半导体材料对光的吸收边（禁带宽度）相关性原理，即材料的本征特性，使得测量结果更为可靠；可装载到MBE、MOCVD、溅射、蒸发系统等和热处理、退火设备上，进行实时温度监测。可选配多晶片温度测量软件功能及扫描功能，以实现MBE外延薄膜生长过程中多晶片温度的实时监测及温度的二维分布信息。

     • 温度测试范围：室温~1200℃（视不同材料而定）

     • 温度测试精度：±2℃

     • 温度测试稳定性：±0.2℃

     • 温度测试分辨率：±0.1℃

     • 温度测试扫描速率：30 point/1nm

     • 实时、非接触、非入侵、直接Wafer温度监测
     • 真实的Wafer表面或薄膜温度监测
     • 整合了新的黑体辐射监测技术

     • 避免了发射率变化对测量的影响
     • 无需沉积设备Viewport特殊涂层

     • 测量波长范围可选（例如：可见光波段、近红外波段等）

     • 多基片/晶片表面2D温度Mapping监测（选配）

     • 沉积速率和薄膜厚度分析（选配）
     • 表面粗糙度分析功能（选配）